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[퓨처플랫폼] 삼성전자, 차세대 메모리 ‘CUBE’ 전략 공개…HBM5·zNAND 로드맵 제시

편집인 2026-09-07 16:44:16

삼성전자가 메모리 용량과 대역폭, 전력 효율 등을 높이는 ‘CUBE’ 전략을 공개하며 차세대 메모리 기술 경쟁력 강화에 나섰다.

1일 타이베이에서 열린 세미콘 타이완 2026에서 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)이 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표하고 있다. 삼성전자

최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 1일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋 기조연설에서 메모리 기술 한계를 극복하기 위한 CUBE 전략을 발표했다.

CUBE는 △Capacity(용량) △Utilization(최적화) △Bandwidth(대역폭) △Efficiency(전력·열 효율)를 뜻한다.

삼성전자는 메모리를 수직으로 확장하고 각 층의 활용도를 높이는 동시에 데이터 처리 속도와 전력 효율을 개선해 메모리 기술의 한계를 넘어선다는 구상이다.

최장석 상무는 용량과 관련해 “이제 더 이상 PCB 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것”이라고 말했다.

그는 “3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심”이라며 “데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다”고 설명했다.

최 상무는 이어 “3D의 최종 목표는 단일 비트의 데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것”이라며 구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 CUBE 전략을 바탕으로 HBM을 비롯한 차세대 메모리 제품 개발에도 속도를 내고 있다.

HBM5는 미래 AI 시스템의 고도화된 요구사항을 충족하기 위해 개발 중이다. 삼성전자는 HBM4E와 비교해 성능을 2배 높이고 와트당 성능을 20% 향상하는 한편 열 저항을 20% 낮추는 것을 목표로 하고 있다.

삼성전자의 zHBM 모형이 8월 5일 캘리포니아에서 열린 Future of Memory and Storage 2026 부스에서 전시되고 있습니다. 삼성전자

HBM5 이후를 겨냥한 zHBM은 성능을 한 단계 더 끌어올린다. 삼성전자는 zHBM은 HBM4E 대비 성능을 8배, 와트당 성능을 3배 높이는 것을 목표로 제시했다. 열 저항도 75~90% 낮춘다는 계획이다.

거대언어모델(LLM)에 필요한 대용량 메모리 수요를 겨냥한 zNAND-O 개발도 추진한다. zNAND-O는 D램보다 비트 밀도를 10배 높이면서 낸드 대비 읽기 대역폭과 전력 효율을 각각 7배 향상하는 것이 목표다. 삼성전자는 2028년 zNAND-O 샘플링을 시작할 계획이다.

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