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SK하이닉스, TSMC와 HBM 기술 리더십 강화

편집인 2024-04-25 16:13:02

고객맞춤형 메모리 플랫폼 강화

AI 메모리 글로벌 리더인 SK하이닉스는 파운드리 1위 기업 TSMC와 HBM 기술 혁신을 이끌어 메모리 성능의 한계를 돌파할 것이라고 강조했다.

SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다.

양사는 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했고 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다.

양사는 HBM 패키지 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.

TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.

SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있다. 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형(Customized) HBM을 생산한다는 계획이다.

SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra담당)은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론 글로벌 고객들과 개방형 협업(Open collaboration)에도 속도를 낼 것”이라며 “고객맞춤형 메모리 플랫폼(Custom Memory Platform) 경쟁력을 높여 ‘토털(Total) AI 메모리 프로바이더(Provider)’의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다.

TSMC 케빈 장 수석부사장(Business Development and Overseas Operations Office담당, 공동 부최고운영책임자(Deputy Co-COO))은 “고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것”이라고 말했다.

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